型号:CSD86350Q5D | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Texas Instruments |
封装:8-SOIC(0.236",6.00mm 宽) | 描述:MOSFET N-CH 25V 40A 8SON |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 25V 40A 8SON |
系列 | NexFET™ |
制造商 | Texas Instruments |
FET型 | 2 个 N 通道(半桥) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 25V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 40A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 6 毫欧 @ 20A,8V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.1V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 10.7nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1870pF @ 12.5V |
功率_最大 | 13W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.236",6.00mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SON(5x6) |
包装 | Digi-Reel® |
供应商
上海熠富电子科技有限公司 | 销售部15821228847 // 13764057178 // 15026993318 |
辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
深圳市捷富芯科技有限公司 | 林生13686489274 |
深圳市鑫晟源电子科技有限公司 | 赖0755-83538837 |
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