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电子元器件详细资料 » IC[14750] » CSD86350Q5D
型号:CSD86350Q5D类别:FET - 阵列制造商:Texas Instruments
封装:8-SOIC(0.236",6.00mm 宽)描述:MOSFET N-CH 25V 40A 8SON

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N-CH 25V 40A 8SON
系列NexFET™
制造商Texas Instruments
FET型2 个 N 通道(半桥)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)25V
电流_连续漏极(Id)0a025000C40A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C6 毫欧 @ 20A,8V
Id时的Vgs(th)111最大2222.1V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs10.7nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds1870pF @ 12.5V
功率_最大13W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.236",6.00mm 宽)
供应商设备封装8-SON(5x6)
包装Digi-Reel®

供应商

上海熠富电子科技有限公司销售部15821228847 // 13764057178 // 15026993318
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